| 发明名称 | 制造绝缘体上硅结构的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造绝缘体上硅结构的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）设置供体衬底（31）和支撑衬底（1），所述衬底中只有一个被所述氧化物层（2）覆盖；（b）在所述供体衬底（31）中形成弱区（32）；（c）等离子体激活所述氧化物层（2）；（d）在部分真空中，将所述供体衬底（31）粘结于所述支撑衬底（1）；（e）在350℃或更低的温度下，实现粘结增强退火，从而造成所述供体衬底（31）沿着所述弱区（32）劈裂；以及（f）在超过900℃的温度下执行热处理‑以超过10℃/s的升温速率实现从步骤（e）的温度到步骤（f）的温度的转变。 | ||
| 申请公布号 | CN103035562B | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201210322180.6 | 申请日期 | 2012.09.03 |
| 申请人 | 索泰克公司 | 发明人 | C·大卫;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种制造绝缘体上硅结构的工艺，所述绝缘体上硅结构包括硅层(3)、厚度小于或等于25nm的掩埋氧化物层(2)和支撑衬底(1)，所述工艺的特征在于，所述工艺包括以下步骤：(a)设置包括所述硅层(3)的供体衬底(31)和所述支撑衬底(1)，所述衬底(31、1)中只有一个被所述氧化物层(2)覆盖；(b)在所述供体衬底(31)中形成与所述硅层(3)接界的弱区(32)；(c)等离子体激活所述氧化物层(2)；(d)将所述供体衬底(31)粘结于所述支撑衬底(1)，所述氧化物层(2)位于粘结界面处，在部分真空中执行所述粘结；(e)在350℃或更低的温度下实现粘结增强退火，所述退火造成所述供体衬底(31)沿着所述弱区(32)劈裂；以及(f)在超过900℃的温度下，向所述绝缘体上硅结构(3、2、1)应用用于修复缺陷的热处理‑以超过10℃/s的升温速率实现从步骤(e)的劈裂温度到步骤(f)的缺陷修复温度的转变。 | ||
| 地址 | 法国伯尔宁 | ||