堆叠栅型SONOS闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种堆叠栅型SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；所述存储管和所述选择管之间有一定的重叠，重叠量为X，0<X≤第一多晶硅栅的宽度。此外，本发明还公开了该堆叠栅型SONOS闪存存储器的制造方法。本发明能够有效的缩小存储单元的面积。

主权项

一种堆叠栅型SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，存储器由一个选择管和一个存储管构成，所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；所述存储管和所述选择管之间有一定的重叠，重叠量为X，0<X≤第一多晶硅栅的宽度；在所述第一多晶硅栅的侧面和顶部表面覆盖有中压氧化层，且该中压氧化层和作为所述选择管的栅氧的中压氧化层同时形成并连接在一起，所述存储管的第一多晶硅栅和所述选择管的第二多晶硅栅的重叠区域之间通过所述中压氧化层隔离；制造方法包括如下工艺步骤：1)形成隔离区和有源区；2)中低压阱以及阈值电压调整等离子注入；3)存储管区域的离子注入和氧化层去除；4)全片进行ONO层淀积；5)全片进行第一层多晶硅淀积；6)采用光刻和刻蚀工艺刻蚀第一层多晶硅和ONO层，在存储管区域形成第一多晶硅栅；7)在全硅片上全面生长中压氧化层；8)第二层多晶硅的淀积和掺杂；9)第二层多晶硅化学研磨抛光；10)在全硅片上全面淀积氮化硅层；11)第二多晶硅栅的光刻和刻蚀；12)第二多晶硅栅的再氧化；13)各种器件的轻掺杂漏的注入；14)氮化硅侧墙的淀积和刻蚀；15)在全硅片上全面生长阻挡氧化层；16)源漏注入；17)阻挡氧化层的去除。