可调控的表面声波谐振器和过滤器

摘要

本发明提供了可调控的表面声波谐振器和过滤器，涉及到可调谐和可调整的具有嵌入型电极掺杂区或具有抬高型电极掺杂区的压电半导体过滤器，提供运用半导体的压电层中被埋置或抬高的电极掺杂区可调谐的表面声波谐振器。该过滤器以变化DC偏压来改变金属化比率和负荷质量作用来改变谐振频率。通过变化DC偏压，多件可调谐的SAW设备可以连接形成可调谐和可选择的微波过滤器来选择和调整带通频率或一台可调谐振荡器。

主权项

一个用于表面声波器件的频率可调谐的SAW叉指换能器IDT结构，具有嵌入型电极掺杂区，其特征在于：所述IDT结构包括：‑一个支持基体有支持基体厚度；‑第一压电层有第一压电层厚度位于前述支持基体上；‑多个正电极掺杂区在前述第一压电层埋置，所述正电极掺杂区是压电半导体有第一掺杂类型；‑多个负电极掺杂区在前述第一压电层埋置，前述负电极掺杂区是压电半导体有第二掺杂类型，每个前述负电极掺杂区在位于二个毗邻正电极掺杂区之间；‑多个金属正电极手指连接到一个正电极垫，每个前述金属正电极手指位于对应的一个嵌入型正电极掺杂区之上；‑多个金属负电极手指连接到一个负电极垫，每个前述金属负电极手指位于对应的一个嵌入型负电极掺杂区之上；‑一个DC偏压通过阻拦感应器连接到前述IDT，通过调谐和调整与前述正电极手指和负电极手指相关的负荷质量和金属化比率，来调谐和调整前述IDT激发或接受的表面声波的频率；毗邻前述正电极手指和前述负电极手指间的中心对中心距离，或者毗邻前述正电极掺杂区和前述负电极掺杂区间的中心对中心距离，被控制到叉指间距b，而前述正电极垫和负电极垫连接到一个电信号来源或到信号接收器来激发或接受表面声波。