一种沟槽‑场限环复合终端结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽‑场限环复合终端结构，包括有源区和终端区，有源区和终端区共同的n^‑区向下连接有n场阻止层，n场阻止层下方连接有n⁺阴极区及其阴极铝电极；在有源区中，n^‑区向上连接有p⁺阳极区及阳极铝电极；在终端区中，n^‑区向上与有源区接触的区域是增加的一段p⁺电阻区，与该p⁺电阻区间隔设置有一个沟槽，该沟槽下方设置有多个环间距不等、环宽相等的p⁺场限环，在该沟槽下方最外侧设置有一个n⁺截止环，在沟槽内填充有钝化层并延伸到p⁺电阻区的上方，该钝化层与有源区的阳极铝电极相接。本发明还公开了上述的沟槽‑场限环复合终端结构的制备方法。本发明结构简单，可靠性好；制备过程简洁紧凑，便于推广。

主权项

一种沟槽‑场限环复合终端结构，其特征在于：包括有源区和终端区，有源区和终端区共同的n^‑区向下连接有n场阻止层，n场阻止层下方连接有n⁺阴极区及其阴极铝电极；在有源区中，n^‑区向上连接有p⁺阳极区及阳极铝电极；在终端区中，n^‑区向上与有源区接触的区域是增加的一段p⁺电阻区，与该p⁺电阻区间隔设置有一个沟槽，该沟槽下方设置有多个环间距不等、环宽相等的p⁺场限环，在该沟槽下方最外侧设置有一个n⁺截止环，在沟槽内填充有钝化层并延伸到p⁺电阻区的上方，该钝化层与有源区的阳极铝电极相接。