一种高性能MOSFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法，所述元胞采用方形元胞，其特征在于：包括P型衬底、P型埋层、P型外延层、N型重掺杂区、n型漂移区、P型体沟道区、N型重掺源区、介质层、多晶栅极区、金属前介质层、场板金属、P型重掺杂区、源端金属、漏端金属。所述制备流程为：n+硅片制备，埋层注入推结，生长n‑外延，场氧生长，穿通区扩散，栅氧化层生长，多晶刻蚀，N漂移区注入推结，p型体沟道区注入推结，N+重掺杂源区注入退火，接触孔刻蚀，p+重掺杂区注入退火，金属淀积，刻蚀，合金、钝化、退火。

主权项

一种高性能MOSFET，其特征在于：包括P型衬底(100)、P型埋层(101)、P型外延层(102)、N型重掺杂区(103)、n型漂移区(104)、P型体沟道区(105)、N型重掺源区(106)、介质层(107)、多晶栅极区(108)、金属前介质层(109)、场板金属(110)、P型重掺杂区(111)、源端金属(112)、漏端金属(113)；所述P型衬底(100)上覆盖有P型埋层(101)和P型外延层(102)；所述P型埋层(101)位于P型衬底(100)上表面的中间位置，所述P型外延层(102)与P型埋层(101)相接触；所述n型漂移区(104)覆盖于P型外延层(102)两端位置；所述n型漂移区(104)之间设置有P型体沟道区(105)；所述P型体沟道区(105)与P型埋层(101)和P型外延层(102)相接触；所述P型体沟道区(105)上表面中心位置出处设有接触孔，所述接触孔两侧为N型重掺源区(106)，所述接触孔底部为P型重掺杂区(111)；所述N型重掺源区(106)的上表面与P型体沟道区(105)的上表面共面，所述N型重掺源区(106)与P型重掺杂区(111)相接触；所述n型漂移区(104)的两端设置有N型重掺杂区(103)；所述n型漂移区(104)、P型体沟道区(105)、N型重掺源区(106)的表面和N型重掺杂区(103)的部分表面上覆盖有介质层(107)；所述多晶栅极区(108)覆盖于介质层(107)的部分表面；所述多晶栅极区(108)在介质层(107)下表面的投影位置与所述P型体沟道区(105)、N型重掺源区(106)之间的位置相对应；所述金属前介质层(109)覆盖于介质层(107)和多晶栅极区(108)的上表面；所述场板金属(110)覆盖于金属前介质层(109)的部分表面，所述场板金属(110)还覆盖于P型重掺杂区(111)的部分表面，并与N型重掺源区(106)和介质层(107)相接触；所述漏端金属(113)覆盖于N型重掺杂区(103)的部分表面和金属前介质层(109)的部分表面，并与介质层(107)相接触；所述源端金属(112)覆盖于P型衬底(100)的下表面。