场发射电子源阵列的制备方法

摘要

本发明提供一种场发射电子源阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环，所述导电环两端具有相对的两环面，形成一场发射电子源预制体；将所述多个场发射电子源预制体并排对齐设置，形成一场发射电源阵列预制体；切割所述场发射电子源阵列预制体，使所述每一碳纳米管线状结构从切割形成的断口处暴露出来，形成多个场发射电子源。

主权项

一种场发射电子源阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环，所述导电环环绕所述绝缘层设置，形成一场发射电子源预制体，所述导电环两端具有相对的第一环面及第二环面；将多个所述场发射电子源预制体并排设置，且相邻的场发射电子源的导电环电接触，形成一场发射电子源阵列预制体；切割所述场发射电子源阵列预制体，使所述每一碳纳米管线状结构从切割形成的断口处暴露出来，形成多个场发射电子源阵列，每一场发射电子源的至少一端包覆有所述导电环，且所述碳纳米管线状结构的末端，所述绝缘层的断面，以及所述导电环的一环面位于同一平面。