| 发明名称 | 一种双环路控制高电源抑制比的带隙基准电路 | ||
| 摘要 | 本发明属于模拟集成电路技术领域，涉及一种双环路控制高电源抑制比的带隙基准电路，包括包含带隙基准核心电路(Bandgap Core)、误差放大器(Error Amplifier)、电压预调整电路(Pre‑regulator)；技术上主要采用了将Widlar基准与Kuijk基准相结合的双环路控制策略，用于提高负载调整率和瞬态响应速度；此外，本发明还引入了电压预调整技术，有效实现了对传统带隙基准电路电源抑制比的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN106249796A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610808127.5 | 申请日期 | 2016.09.07 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 张国俊;刘阳 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种具有双环路控制的带隙基准电路，其特征在于，包含带隙基准核心电路(Bandgap Core)、误差放大器(Error Amplifier)、电压预调整电路(Pre‑regulator)。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||