半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件的制作方法为，首先提供一基底，该基底上设有至少一鳍状结构，其中鳍状结构包含一上半部以及一下半部。然后形成一栅极结构于鳍状结构上，形成一遮盖层于栅极结构未覆盖的鳍状结构的上半部上方，进行一退火制作工艺将遮盖层内的锗原子趋入鳍状结构的上半部，去除遮盖层，最后再形成一外延层于鳍状结构的上半部周围。

主权项

一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上设有至少一鳍状结构，其中该鳍状结构包含一上半部以及一下半部；形成一栅极结构于该鳍状结构上；形成一遮盖层于该栅极结构未覆盖的该鳍状结构的该上半部上方；进行一退火制作工艺将该遮盖层内的锗原子趋入该鳍状结构的该上半部；去除该遮盖层；以及形成一外延层于该鳍状结构的该上半部周围。