| 发明名称 | 一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为N<sub>x</sub>（Zn<sub>15</sub>Sb<sub>85</sub>）<sub>1‑x</sub>，其中0.40≤x≤0.41。制备时通过在射频溅射沉积Zn<sub>15</sub>Sb<sub>85</sub>薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn<sub>15</sub>Sb<sub>85</sub>薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN106252508A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610794092.4 | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 江苏理工学院 | 发明人 | 朱小芹;胡益丰;薛建忠;吴卫华;眭永兴;郑龙;袁丽;江向荣 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人 | 孙培英 |
| 主权项 | 一种掺氮改性的相变薄膜材料，其特征在于：由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为N<sub>x</sub>（Zn<sub>15</sub>Sb<sub>85</sub>）<sub>1‑x</sub>，其中0.40≤x≤0.41。 | ||
| 地址 | 213001 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号 | ||