| 摘要 |
본 발명에 따른 불 휘발성 메모리 장치는 복수의 셀 스트링들을 포함하고, 각 셀 스트링은 기판과 수직인 방향으로 적층된 복수의 메모리 셀들, 상기 복수의 메모리 셀들과 상기 기판의 사이에 제공되는 접지 선택 트랜지스터, 그리고 상기 복수의 메모리 셀들과 비트 라인 사이에 제공되는 스트링 선택 트랜지스터를 포함하는 메모리 셀 어레이, 소거 동작 시 상기 기판에 소거 전압을 제공하고, 그리고 상기 소거 전압이 제공된 후 특정 시간 뒤에 상기 접지 선택 트랜지스터에 연결되는 접지 선택 라인을 플로팅하는 어드레스 디코더, 제 1 온도 정보에 기초하여 온도에 따라 변경되는 상기 소거 전압을 생성하고, 그리고 상기 소거 전압에 대응하는 피드백 전압 및 제 2 온도 정보에 기초하여 접지 선택 라인(GSL) 천이 정보를 생성하는 전압 발생기, 그리고 상기 GSL 천이 정보에 기초하여 접지 선택 라인(GSL) 제어 신호를 생성하는 제어 로직을 포함하되, 상기 어드레스 디코더는 상기 GSL 제어 신호에 따라 상기 접지 선택 라인을 플로팅한다. |
