半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：形成导电的半导体层，覆盖基底、位于基底上的栅极；形成导电的半导体层后，对所述基底进行离子注入，在所述栅极两侧的基底中形成源极和漏极，源极和漏极中的离子浓度相同。导电的半导体层将接触插栓和源极、漏极电连接的位置垫高，相当于拓宽了接触插栓可以容纳的空间，因此，相对于现有技术相邻两栅极之间的距离可以减小，半导体器件的集成度相对于现有技术可以进一步提高。而且，导电的半导体层不会使源极和漏极的离子浓度不一致。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：形成导电的半导体层，覆盖基底、位于基底上的栅极；形成导电的半导体层后，对所述基底进行离子注入，在所述栅极两侧的基底中形成源极和漏极，源极和漏极中的离子浓度相同；进行离子注入后，形成介质层，覆盖所述基底、栅极和半导体层；在所述介质层中形成接触插栓，与所述源极、漏极上的半导体层电连接。