| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种刻蚀方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；采用第一溶液对所述半导体衬底进行第一步刻蚀，第一溶液中包括酸和过氧化氢；接着采用第二溶液对所述半导体衬底进行第二步刻蚀，第二溶液中包括磷酸和高锰酸钾。经过本发明的刻蚀方法的半导体衬底，既可以保证刻蚀形成的沟槽具有较好的纵宽比，还可以改善刻蚀之后形成的表面的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN106252221A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201510325500.7 | 申请日期 | 2015.06.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 单少杰 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；采用第一溶液对所述半导体衬底进行第一步刻蚀，所述第一溶液中包括酸和过氧化氢；以及采用第二溶液对所述半导体衬底进行第二步刻蚀，所述第二溶液中包括磷酸和高锰酸钾。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||