一种逆导型IGBT

摘要

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质槽，由位于槽内壁的绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料构成，形成槽栅结构；所述N型发射区和P型体接触区的共同引出端为发射极电极。在N型高阻半导体材料的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N型区和P型区形成集电区，所述N型和P型区的共同引出端为集电极。其特征在于：所述集电区的顶部引入具有电场截止作用的重掺杂N型岛，重掺杂N型岛沿器件横向方向间断分布，相邻重掺杂N型岛之间为高阻N型漂移区。

主权项

一种逆导型IGBT，在N型高阻半导体材料表面形成P型区(1)，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区(3)和P型体接触区(4)；在N型发射区(3)中部形成贯穿P型区且底部与N型高阻半导体相接触的介质槽(2)，介质槽(2)由位于槽内壁的绝缘介质层(21)和由绝缘介质层(21)包围的导电材料(22)构成，由介质槽(2)中的导电材料引出栅电极，形成槽栅结构；所述N型发射区(3)和P型体接触区(4)的共同引出端为发射极电极；在N型高阻半导体材料的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N型区(51)和P型区(52)形成集电区(5)，所述N型区(51)和P型区(52)的共同引出端为集电极；所述集电区(5)的顶部引入具有电场截止作用的重掺杂N型岛(6)，所述重掺杂N型岛(6)沿器件横向方向间断分布，相邻重掺杂N型岛(6)之间为高阻N型漂移区。