发明名称 一种浪涌抑制电路
摘要 本发明公开了一种浪涌抑制电路,包括电压输入端、电压输出端、第一场效应管、第二场效应管、电阻、PWM输入端,所述的第一场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的第二场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的电阻一端与所述的电压输入端连接,所述第一场效应管的漏极与所述的电阻另一端及所述的电压输出端连接,所述的第二场效应管的漏极与所述的电阻另一端连接,所述的第一场效应管的栅极与所述的PWM输入端连接,所述的第二场效应管与所述的PWM输入端连接。本发明可以有效抑制电源开关时的浪涌电压,并在电源稳定工作时不影响电压输出,减少不必要的功率损耗,可用于高功率电路、能承受连续脉冲冲击。
申请公布号 CN103023004B 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201210499633.2 申请日期 2012.11.28
申请人 余姚亿威电子科技有限公司 发明人 赵文静
分类号 H02H9/04(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 代理人 郑洪成
主权项 一种浪涌抑制电路,其特征在于,包括:电压输入端、电压输出端、第一场效应管、第二场效应管、电阻、PWM输入端,所述的第一场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的第二场效应管的源极与所述的电压输入端连接,所述的电阻一端与所述的电压输入端连接,所述第一场效应管的漏极与所述的电阻另一端及所述的电压输出端连接,所述的第二场效应管的漏极与所述的电阻另一端连接,所述的第一场效应管的栅极与所述的PWM输入端连接,所述的第二场效应管与所述的PWM输入端连接;所述的第一场效应管为N沟道功率MOS管,所述的第二场效应管为P沟道功率MOS管;所述的PWM输入端输入的PWM信号由外部电路提供。
地址 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路
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