半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。其中在半导体器件制造方法中，包括提供绝缘层，其中绝缘层覆盖至少一个半导体器件的有源区和栅极，在绝缘层中形成用于有源区的连接孔，以便暴露有源区的至少一部分，其中连接孔包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述连接孔的第一部分邻近于有源区，并且第一宽度小于第二宽度，在所述连接孔中填充金属材料以形成用于所述有源区的接触。从而所形成用于有源区的接触也包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，从而增加了有源区接触的宽度，改善了沟道应力性能。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其特征在于：提供绝缘层，其中绝缘层覆盖至少一个半导体器件的有源区和栅极；在绝缘层中形成用于所述有源区的连接孔，以便暴露所述有源区的至少一部分，其中所述连接孔包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述连接孔的第一部分邻近于所述有源区，并且第一宽度小于第二宽度；在所述连接孔中填充金属材料以形成用于所述有源区的接触；其中在绝缘层中形成用于所述有源区的连接孔，以便暴露所述有源区的至少一部分的步骤包括：对所述绝缘层进行刻蚀以形成具有第一宽度的开口，以便暴露所述有源区的至少一部分；在所述具有第一宽度的开口内填充底部抗反射层BARC；对所述绝缘层再次进行刻蚀，以拓宽所述具有第一宽度的开口的一部分；以及去除所述底部抗反射层BARC；其中所述开口的未拓宽部分作为所述连接孔的第一部分，所述开口的被拓宽部分作为所述连接孔的第二部分；其中，在形成所述具有第一宽度的开口时，在绝缘层表面涂布具有第一宽度的窗口的光阻层，利用该具有第一宽度的窗口的光阻层刻蚀所述绝缘层，从而形成所述具有第一宽度的开口；在对所述绝缘层再次进行刻蚀时，拓宽所述光阻层的窗口以使其具有第二宽度，利用该具有第二宽度的窗口的光阻层刻蚀所述绝缘层，从而拓宽所述开口的一部分。