半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立的第一金属层；对第一金属层的侧壁进行刻蚀，使第一金属层的宽度与设计宽度一致；在刻蚀后的第一金属层的侧壁上形成侧墙；在分立的第一金属层之间的衬底上形成第二金属层，所述第二金属层上表面与第一金属层上表面齐平，且相互之间有侧墙隔离；去除所述侧墙或者去除所述第一金属层和第二金属层。本发明半导体器件的形成方法，利用自对准式双重曝光光刻工艺在后段制程中形成半导体器件中间隔排列且密度较大的互连线或者插塞，简化了工艺步骤，降低了工艺难度以及制造成本，且该工艺容易被精确控制，提高了所形成半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；采用干法刻蚀工艺在衬底上形成若干分立的第一金属层，所述第一金属层的宽度大于设计宽度，所述设计宽度为在所述衬底上形成互连线或插塞的线宽；采用湿法刻蚀工艺对第一金属层的侧壁进行刻蚀，使第一金属层的宽度与设计宽度一致；在刻蚀后的第一金属层的侧壁上形成侧墙；在分立的第一金属层之间的衬底上形成第二金属层，所述第二金属层上表面与第一金属层上表面齐平，且相互之间有侧墙隔离；去除所述侧墙，所述侧墙的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者多晶硅；或者，去除所述第一金属层和第二金属层，其中所述侧墙的材质为氮化铜。