| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备在背表面上具有氮化硅膜的半导体衬底；在半导体衬底的主表面上形成具有通路孔的层间绝缘膜；以及在通路孔中选择性地形成通路填充物。该方法还包括以下步骤：执行晶圆背表面清洗以暴露半导体衬底的背表面上形成的氮化硅膜的表面；且随后，在半导体衬底的主表面之上的层间绝缘膜以及通路填充物上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中半导体衬底存储在具有1000μg/m<sup>3</sup>或以下的铵离子浓度的气氛中。 | ||
| 申请公布号 | CN106252274A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610384198.7 | 申请日期 | 2016.06.02 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 前岛洁志;堀越孝太郎;堀田胜彦;高桥敏幸;越智启典;庄司健一 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)制备半导体衬底，所述半导体衬底包括主表面和背表面，在所述背表面之上设置有第一氮化硅膜；(b)在所述半导体衬底的所述主表面之上形成包括第一开口部的第一绝缘膜；(c)在所述第一开口部内选择性地形成通路填充物膜；(d)清洗所述半导体衬底的所述背表面以暴露所述第一氮化硅膜的表面；以及(e)在步骤(d)之后，在所述第一绝缘膜和所述通路填充物膜之上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中所述光致抗蚀剂膜包括第二开口部，所述第二开口部大于所述第一开口部并且与所述第一开口部重叠，其中在完成步骤(d)之后且在执行步骤(e)之前的时段期间，所述半导体衬底被存储在密封型输送容器中，所述密封型输送容器的铵离子浓度保持在1000μg/m<sup>3</sup>或以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||