| 发明名称 | 制备硅纳米材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制备硅纳米材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a)将含硅原料与过量的金属研磨混合；b)将a)中所得的混合物加热至300至700℃进行反应，将所述含硅原料中的硅还原为金属硅化物的形式；c)将b)的反应产物在含氧气体流下加热至450至700℃进行反应，将其中的所述金属硅化物氧化为单质硅核‑二氧化硅壳的核‑壳硅纳米材料。本发明的方法具有工艺操作简单、成本低廉，易于扩大生产，硅源范围大，环境友好，产物性质优良等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN106241812A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610613273.2 | 申请日期 | 2016.07.29 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 钱逸泰;朱永春;梁剑文;李晓娜 |
| 分类号 | C01B33/021(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/021(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种制备硅纳米材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a)将含硅原料与过量的金属研磨混合；b)将a)中所得的混合物加热至300至700℃进行反应，将所述含硅原料中的硅还原为金属硅化物的形式；c)将b)的反应产物在含氧气体流下加热至450至700℃进行反应，将其中的所述金属硅化物氧化为单质硅核‑二氧化硅壳的核‑壳硅纳米材料。 | ||
| 地址 | 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 | ||