发明名称 |
一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法。该传感器包括衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于湿度敏感层上的叉指电极。湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。本发明采用超薄二硫化钨薄膜作为湿度敏感材料,具有大的比表面积和优异的湿敏特性,所制备的电阻型湿度传感器具有结构简单、易于集成、兼容柔性基底、无需加热和功耗低的优点,便于规模化生产。 |
申请公布号 |
CN106248735A |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201610544388.0 |
申请日期 |
2016.07.12 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
李春;郭华阳;兰长勇;王帅;何天应 |
分类号 |
G01N27/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/00(2006.01)I |
代理机构 |
成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 |
代理人 |
李蕊 |
主权项 |
一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器,其特征是,包括:衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于所述湿度敏感层上的叉指电极;所述湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,所述二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |