发明名称 一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法。该传感器包括衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于湿度敏感层上的叉指电极。湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。本发明采用超薄二硫化钨薄膜作为湿度敏感材料,具有大的比表面积和优异的湿敏特性,所制备的电阻型湿度传感器具有结构简单、易于集成、兼容柔性基底、无需加热和功耗低的优点,便于规模化生产。
申请公布号 CN106248735A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201610544388.0 申请日期 2016.07.12
申请人 电子科技大学 发明人 李春;郭华阳;兰长勇;王帅;何天应
分类号 G01N27/00(2006.01)I 主分类号 G01N27/00(2006.01)I
代理机构 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人 李蕊
主权项 一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器,其特征是,包括:衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于所述湿度敏感层上的叉指电极;所述湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,所述二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号