金属栅极的制备方法

摘要

本发明提供的金属栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有第一区域和第二区域，第一区域具有第一伪栅极及第一侧墙，第二区域具有第二伪栅极及第二侧墙，半导体衬底表面覆盖层间介质层；去除第一伪栅极，形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁和底壁形成第一功函数调节层，在第一沟槽中填充第一半导体材料层；去除第二伪栅极，形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁和底壁形成第二功函数调节层，在第二沟槽中填充第二半导体材料层；去除第一半导体材料层及第二半导体材料层，在第一沟槽和第二沟槽中填充金属栅极。本发明的第一半导体材料层和第二半导体材料层填充要求不高，易于去除，能够保证栅极金属的填充效果，提高器件的性能。

主权项

一种金属栅极的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相互隔离的第一区域和第二区域，所述第一区域具有位于所述半导体衬底表面的第一伪栅极以及围绕所述第一伪栅极的第一侧墙，所述第二区域具有位于所述半导体衬底表面的第二伪栅极以及围绕所述第二伪栅极的第二侧墙，所述半导体衬底表面覆盖层间介质层，且所述第一伪栅极和所述第二伪栅极暴露在所述层间介质层外；去除所述第一伪栅极，形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁和底壁形成第一功函数调节层，并在所述第一沟槽中填充第一半导体材料层；去除所述第二伪栅极，形成第二沟槽；在所述第二沟槽的侧壁和底壁形成第二功函数调节层，并在所述第二沟槽中填充第二半导体材料层；去除所述第一半导体材料层及所述第二半导体材料层，在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充金属栅极。