一种发光二极管外延片及其生长方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、P型层，所述N型层包括至少5层N型子层，所述N型子层包括依次层叠的低掺层、高掺层和中断生长层，所述低掺层为不掺杂或者掺杂低于设定浓度Si的GaN层，所述高掺层为掺杂高于设定浓度Si的GaN层，所述中断生长层为SiN层。本发明既可以提高晶体质量，又可以提供足够的电子，还可以阻挡缺陷以减少非辐射复合中心的形成，并能形成有效的电流扩展通道。因此最终降低了工作电压，又提升了LED的发光效率。

主权项

一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、P型层，其特征在于，所述N型层包括至少5层N型子层，所述N型子层包括依次层叠的低掺层、高掺层和中断生长层，所述低掺层为不掺杂或者掺杂低于设定浓度Si的GaN层，所述高掺层为掺杂高于设定浓度Si的GaN层，所述中断生长层为SiN层。