半导体器件中MOS晶体管的形成方法

摘要

一种形成半导体器件中MOS晶体管的方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极以及栅介质层；在第一栅极两侧形成第一N型轻掺杂源区、第一N型轻掺杂漏区；不形成掩膜层，直接对衬底进行第一P型离子注入，在第二栅极两侧形成第一P型轻掺杂源区、第一P型轻掺杂漏区；在第三栅极两侧形成第二P型轻掺杂源区、第二P型轻掺杂漏区；在第四栅极两侧形成第二N型轻掺杂源区、第二N型轻掺杂漏区；在第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极四周形成侧墙；形成侧墙后，衬底中、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极两侧形成源极和漏极。可以节约一次掩膜工艺，从而可以简化工艺，节约成本，提高生产效率。

主权项

一种形成半导体器件中MOS晶体管的方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极以及栅介质层；形成第一图形化的掩膜层，以所述第一图形化的掩膜层为掩膜对所述衬底进行第一N型离子注入，在第一栅极两侧形成第一N型轻掺杂源区、第一N型轻掺杂漏区；去除所述第一图形化的掩膜层；不形成掩膜层，直接对所述衬底进行第一P型离子注入，在第二栅极两侧形成第一P型轻掺杂源区、第一P型轻掺杂漏区；形成第二图形化的掩膜层，以所述第二图形化的掩膜层为掩膜对所述衬底进行第二P型离子注入，在第三栅极两侧形成第二P型轻掺杂源区、第二P型轻掺杂漏区；去除所述第二图形化的掩膜层；形成第三图形化的掩膜层，以所述第三图形化的掩膜层为掩膜对所述衬底进行第二N型离子注入，在第四栅极两侧形成第二N型轻掺杂源区、第二N型轻掺杂漏区；去除所述第三图形化的掩膜层；所述第一P型轻掺杂源区和第一P型轻掺杂漏区的深度大于所述第一N型轻掺杂源区、第一N型轻掺杂漏区、第二P型轻掺杂源区、第二P型轻掺杂漏区、第二N型轻掺杂源区、第二N型轻掺杂漏区的深度；在所述第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极四周形成侧墙；形成侧墙后，在所述衬底中、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极两侧形成源极和漏极，至此形成了第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管和第四MOS晶体管。