缓冲型finFET器件

摘要

一个实施例涉及一种缓冲型finFET器件。该器件包括形成于半导体衬底中的缓冲型竖直鳍形结构。竖直鳍形结构至少包括上半导体层、缓冲区域和阱区域的至少部分。缓冲区域具有第一掺杂极性，并且阱区域具有与第一掺杂极性相反的第二掺杂极性。至少一个p‑n结形成于缓冲与阱区域之间，该p‑n结至少部分地覆盖竖直鳍形结构的水平横截面。也公开了其它实施例、方面和特征。

主权项

一种晶体管器件，包括：半导体衬底；缓冲型竖直鳍形结构，形成于所述半导体衬底中，所述竖直鳍形结构包括：上半导体层，包括在漏极区域与源极区域之间的沟道区域，缓冲区域，在所述上半导体层之下，所述缓冲区域具有第一掺杂极性，阱区域的至少部分，具有与所述第一掺杂极性相反的第二掺杂极性，以及至少一个p‑n结，在所述缓冲区域与所述阱区域之间，至少部分地覆盖所述竖直鳍形结构的水平横截面；以及栅极堆叠，形成于所述上半导体层的所述沟道区域之上，其中所述阱区域的第一层直接在所述缓冲区域上方，并且所述阱区域的第二层在所述缓冲型竖直鳍形结构的基部处直接在所述缓冲区域下面，使得两个p‑n结存在于所述缓冲区域与所述阱区域之间。