| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：单个存储块，具有局部线；外围电路，设置在存储块之下；以及多个连接线，将外围电路和局部线彼此连接，其中，多个连接线层叠成台阶形状。 | ||
| 申请公布号 | CN106252355A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610407038.X | 申请日期 | 2016.06.12 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李南宰 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 王建国;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：单个存储块，具有局部线；外围电路，设置在存储块之下；以及多个连接线，将外围电路与局部线彼此连接，其中，多个连接线层叠成台阶形状。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||