一种复合全反射镜的倒装LED芯片结构及制作方法

摘要

本发明提供一种复合全反射镜的倒装LED芯片结构及制作方法，其步骤如下：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱和P型GaN层；通过刻蚀，露出部分N型GaN层；在P型GaN层表面制作ITO透明导电层；在露出的部分N型GaN层上形成N型扩展条，在ITO透明导电层上形成P型扩展条；淀积反射层，反射层包括第一层DBR、Al层和第二层DBR；通过光刻，在N型扩展条和P型扩展条上分别形成N电极和P电极窗口；电极窗口内淀积金属层，分别形成负焊盘和正焊盘电极；对芯片研磨、减薄和切割，完成芯片的制作；本发明采用DBR/Al/DBR三明治复合结构作为反射层，反射光谱覆盖全可见光波段，覆盖面积大，且反射率达到99%以上，并具备可靠性好的特点，有效提高了LED倒装芯片的光萃取效率。

主权项

一种复合全反射的倒装LED芯片结构及制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一. 提供一蓝宝石衬底（8），在所述蓝宝石衬底（8）上依次生长N型GaN层（7）、量子阱（6）和P型GaN层（4），完成LED芯片的外延结构；步骤二. 通过光刻掩膜版的遮挡，刻蚀部分区域的P型GaN层（4）和量子阱（6），露出部分N型GaN层（7）；步骤三. 通过光刻掩膜版的遮挡，在P型GaN层（4）表面制作ITO透明导电层（5）；步骤四. 通过电子束蒸镀技术，在露出的部分N型GaN层（7）上形成N型扩展条（3），在ITO透明导电层（5）上形成P型扩展条（9）；步骤五. 通过电子束蒸镀或磁控溅射技术，在步骤四完成后的芯片表面淀积反射层，所述反射层包括第一层DBR（10）、Al层（11）和第二层DBR（12），所述第一层DBR（10）、Al层（11）和第二层DBR（12）依次沉积，所述第一层DBR（10）覆盖整个芯片表面，所述Al层（11）覆盖第一层DBR（10），同时露出部分N型扩展条（3）和部分P型扩展条（9）上的第一层DBR（10），所述第二层DBR（12）覆盖Al层（11）和露出的第一层DBR（10）；步骤六. 通过光刻掩膜版的遮挡，对反射层进行光刻，刻蚀掉部分N扩展条（3）上的第一层DBR（10）和第二层DBR（12）形成N电极窗口，刻蚀掉部分P扩展条（9）上的第一层DBR（10）和第二层DBR（12）形成P电极窗口；步骤七. 通过电子束蒸镀方法，在N电极窗口和P电极窗口内淀积金属层，P电极窗口内的金属层形成正焊盘电极（1），N电极窗口内的金属层形成负焊盘电极（2）；步骤八. 采用常规工艺对芯片进行研磨、减薄和切割，完成芯片器件加工制作。