发明名称 一种逆变器的过压保护装置
摘要 本发明提供的一种逆变器的过压保护装置,为每相电路设置过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且电路结构相同,在每个过压保护单元设置结构对应的上桥臂电路和下桥臂电路,上下桥臂电路均设置相应的缓冲电容,用于吸收过压;当过压超出缓冲电容的吸收能力时,还可通过电阻放电,增大过压的吸收能力;在外部直流电源的正负母线之间并联蓄能电容器,各缓冲电容吸收的电能量释放到蓄能电容器中,用于为逆变器提供输入电压,有效利用过压的电能量为逆变器工作,并钳制MOSFET器件的漏源电压在正常范围内,既能有效利用过压,又能有效消除过压。
申请公布号 CN106253652A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201610859970.6 申请日期 2016.09.27
申请人 桂林航天工业学院 发明人 张绍荣;张军迪;张国宁;郑伟;赖永健;陈思达;钟家汉
分类号 H02M1/34(2007.01)I 主分类号 H02M1/34(2007.01)I
代理机构 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人 苏家达
主权项 逆变器的过压保护装置,其特征在于:包括至少一个过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且结构相同;所述过压保护单元包括两个MOSFET、四个电阻、两个电容以及四个二极管,分别为第一MOSFET、第二MOSFET、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管;所述第一MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,所述第一电阻并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一电容和第一二极管串联之后并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一二极管的阳极经第二电阻与第二二极管的阴极相连,所述第二二极管的阳极接地,所述第一二极管的阴极与第一MOSFET的源极相连,第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极相连,第一MOSFET的漏极接外部直流电源;所述第二MOSFET、第三电阻、第四电阻、第二电容、第三二极管和第四二极管组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,所述第三电阻并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第三二极管和第二电容串联之后并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第二MOSFET的源极接地,所述第三二极管的阳极与第二MOSFET的漏极相连,所述第三二极管的阴极经第四电阻与第四二极管的阳极相连,所述第四二极管的阴极与第一MOSFET的漏极相连。
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