| 摘要 |
저항성 메모리 셀을 제어하기 위한 방법이 제공된다. 저항 임계값이 메모리 셀에 대해 정의되는데, 여기서 회로는 셀의 검출된 저항값이 저항 임계값보다 위에 있으면 셀이 소거된 것으로 식별하고 또한 셀의 검출된 저항값이 저항 임계값보다 아래에 있으면 셀이 프로그램된 것으로 식별한다. 전하를 인가함으로써 필라멘트가 셀의 전해질 스위칭 구역을 가로질러 형성되며, 여기서 형성된 필라멘트를 구비한 셀은 제1 저항값을 갖는다. 그리고 셀은 제1 저항값보다 큰 제2 저항값을 갖는 소거 상태로 소거된다. 그리고 셀이 회로에 의해 소거 상태로 식별되도록, 셀은 제1 및 제2 저항값의 사이에 있는 그리고 저항 임계값보다 위에 있는 제3 저항값을 갖는 준-소거 상태로 프로그램된다. 그리고 셀은 준-소거 상태로 유지될 수 있다. |
