Halbleitervorrichtung mit einer Abstandsschicht, die mit langsamer diffundierenden Atomen dotiert ist als das Substrat, Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung, Metalloxid-Halbleiter und Halbleiterstruktur

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (10), umfassend: ein stark mit Phosphor dotiertes Siliziumsubstrat (12); eine über dem Substrat (12) angeordnete Abstandsschicht (14), wobei die Abstandsschicht (14) mit Dotiersubstanzatomen dotiert ist, die in der Abstandsschicht (14) einen Diffusionskoeffizienten aufweisen, der geringer ist, als ein Diffusionskoeffizient von Phosphor in Silizium; eine über dem Substrat (12) angeordnete Epitaxieschicht (16); und eine über dem Substrat (12) und über der Epitaxieschicht (16) und der Abstandsschicht (14) angeordnete Vorrichtungsschicht (20).