Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür

摘要

Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass sie aufweist: ein Substrat (1) eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, welches aus Siliziumcarbid gefertigt ist; eine Driftschicht (2), die auf dem Substrat angeordnet ist und aus einem Siliziumcarbid eines ersten Leitfähigkeitstyps gefertigt ist, mit geringerer Verunreinigungskonzentration als das Substrat; einen Basisbereich (3), der auf der Driftschicht angeordnet ist und aus einem Siliziumcarbid eines zweiten Leitfähigkeitstyps gefertigt ist; einen Sourcebereich (4), der auf dem Basisbereich angeordnet ist und aus einem Siliziumcarbid eines ersten Leitfähigkeitstyps gefertigt ist, mit höherer Verunreinigungskonzentration als die Driftschicht; einen Kontaktbereich (5), der mit dem Basisbereich verbunden ist und aus einem Siliziumcarbid eines zweiten Leitfähigkeitstyps gefertigt ist, mit höherer Verunreinigungskonzentration als die Basisschicht; einen Graben (6), der sich von einer Oberfläche des Sourcebereichs aus zu einer Position tiefer als der Basisbereich erstreckt; eine Schicht (7) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die in einer Ecke eines Bodens des Grabens angeordnet ist, aus Siliziumcarbid eines zweiten Leitfähigkeitstyps gefertigt ist und in einem Querschnitt entlang einer Tiefenrichtung des Grabens gesehen eine abgerundete Dreiecksform hat; einen Gateisolationsfilm (8), der an einer Innenwandfläche des Grabens auf der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist; eine Gateelektrode (9), die innerhalb des Grabens auf dem Gateisolationsfilm angeordnet ist; ...