| 发明名称 | 半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在衬底上方的半导体层；形成在半导体层上的绝缘膜；和形成在绝缘膜上的电极。绝缘膜在半导体层一侧的膜应力低于在电极一侧的膜应力。 | ||
| 申请公布号 | CN102646704B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201210033132.5 | 申请日期 | 2012.02.14 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中村哲一;尾崎史朗;武田正行;渡部庆二 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：形成在衬底上方的半导体层；形成在所述半导体层上的绝缘膜；和形成在所述绝缘膜上的电极，其中所述绝缘膜在所述半导体层一侧的膜应力低于在所述电极一侧的膜应力，其中，所述绝缘膜由非晶碳膜形成，其中碳是所述非晶碳膜的主要成分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||