发明名称 |
图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器 |
摘要 |
本发明提供了图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器。在根据本发明的图像传感器顶层刻蚀方法中,所述图像传感器包括感光区域、遮光区域以及外围电路,其中所述遮光区域以及所述外围电路依次布置在所述感光区域的两侧;所述图像传感器顶层刻蚀方法包括:在互连层上形成第一钝化层;在所述第一钝化层上形成顶层层间介质层;在所述顶层层间介质层上沉积第二钝化层;执行第一刻蚀步骤,以利用掩膜版刻蚀所述顶层层间介质层和所述第二钝化层,由此暴露了所述感光区域上的所述第一钝化层;不利用任何掩膜,在整个芯片上覆盖第三钝化层;以及执行第二刻蚀步骤,利用与所述第一刻蚀步骤相同的掩膜版对所述第三钝化层进行刻蚀。 |
申请公布号 |
CN102592984B |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201210061943.6 |
申请日期 |
2012.03.09 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
令海阳;包德君;黄庆丰 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种图像传感器顶层刻蚀方法,所述图像传感器包括感光区域、遮光区域以及外围电路,其中所述遮光区域以及所述外围电路依次布置在所述感光区域的两侧;其特征在于所述图像传感器顶层刻蚀方法包括:在互连层上形成第一钝化层;在所述第一钝化层上形成顶层层间介质层;在所述顶层层间介质层上沉积第二钝化层;执行第一刻蚀步骤,以利用掩膜版刻蚀所述顶层层间介质层和所述第二钝化层,由此暴露了所述感光区域上的所述第一钝化层;不利用任何掩膜,在整个芯片上覆盖第三钝化层;以及执行第二刻蚀步骤,利用与所述第一刻蚀步骤相同的掩膜版对所述第三钝化层进行刻蚀。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 |