SOI射频开关结构及集成电路

摘要

一种SOI射频开关结构及集成电路。SOI射频开关结构包括第一支路和第二支路。而且，所述SOI射频开关结构还包括附加晶体管，其中附加晶体管的源极和漏极通过第五电阻器连接，而且附加晶体管的栅极、源极和漏极分别连接至第二支路的第一个MOS晶体管的栅极、源极和漏极。在本发明中，射频开关的基本结构包含串联之路和并联支路；本发明在并联连支路的第一级和/或第二级增加并联的晶体管结构，以使电压分配更加均匀，由此使得第一级和/或第二级的电容变大，从而分压变小。

主权项

一种SOI射频开关结构，其特征在于包括：第一支路和第二支路；其中，第一支路包括按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管，其中每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器连接，每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器连接第一栅极电压，第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号，最后一个MOS晶体管的源极连接天线；其中，第二支路包括按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管，其中每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第三电阻器连接，每个MOS晶体管的栅极通过各自的第四电阻器连接第二栅极电压，第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号，最后一个MOS晶体管的源极接地；而且，所述SOI射频开关结构还包括附加晶体管，其中附加晶体管的源极和漏极通过第五电阻器连接，而且附加晶体管的栅极、源极和漏极分别连接至第二支路的第一个MOS晶体管的栅极、源极和漏极；其中，第一支路和第二支路的每个MOS晶体管的衬底通过电阻接地。