发明名称 |
一种高均匀性的红光LED 外延结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种高均匀性的红光LED外延结构及其制备方法,包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。本发明通过在生长GaAs缓冲层之前生长AlGaAs缓冲层,将表面氧化层通过AlGaAs缓冲层进行分解吸收,最大程度的减少了衬底表面氧化层对后续外延结构的影响。 |
申请公布号 |
CN106229398A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610870485.9 |
申请日期 |
2016.09.30 |
申请人 |
山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
发明人 |
张雨;张新;于军;徐现刚 |
分类号 |
H01L33/12(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/12(2010.01)I |
代理机构 |
济南金迪知识产权代理有限公司 37219 |
代理人 |
杨树云 |
主权项 |
一种高均匀性的红光LED外延结构,其特征在于,包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。 |
地址 |
261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 |