发明名称 |
一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜 |
摘要 |
本发明涉及光伏薄膜材料技术领域,特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法及铜铟镓硒薄膜。本发明的制备方法包括以下步骤:在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层;硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层,得到第一层铜铟镓硒薄膜层;周期循环重复步骤(1)、(2),每个周期中Ga/(In+Ga)不同,从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中,Ga/(In+Ga)先减小后增多。一种铜铟镓硒薄膜,由n层不同带隙的掺钠铜铟镓硒薄膜层组成,各层掺钠铜铟镓硒薄膜层带隙延薄膜沉积生长方向先减小后增多,n大于等于3。本发明可有效提高光电转换效率,同时增加了太阳能电池的开路电压。 |
申请公布号 |
CN106229362A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610841978.X |
申请日期 |
2016.09.22 |
申请人 |
东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
发明人 |
王文庆 |
分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
代理人 |
连平 |
主权项 |
一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层;(2)硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层,得到第一层铜铟镓硒薄膜层;(3)周期循环重复步骤(1)、(2),每个周期中Ga/(In+Ga)不同,从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中,Ga/(In+Ga)先减小后增多。 |
地址 |
523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406 |