| 发明名称 | 一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器及其制备方法。本发明(1)在镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底上光刻和氢氧化钾湿法刻蚀图形；(2)在所述图形的凹槽侧壁上生长硅掺杂的氮化镓纳米带；(3)剥离所述纳米带，将所述剥离得到的纳米带转移至镀有二氧化硅的硅片基底上；(4)在所述步骤(3)得到基底的纳米带上镀银电极，得到硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器。本发明提供的技术方案改善了微纳米量级氮化镓紫外光探测器的光开关比和光增益。实验结果表明，本发明得到的硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器的光开关比达到5.4×10<sup>4</sup>，光增益和光敏度分别为8.8×10<sup>5</sup>、2.3×10‑<sup>5</sup>A/W。 | ||
| 申请公布号 | CN106229382A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201610783309.1 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 李述体;赵亮亮;王幸福 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人 | 李娜 |
| 主权项 | 一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：(1)在镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底上光刻和氢氧化钾湿法刻蚀图形；(2)在所述图形的凹槽侧壁上生长硅掺杂的氮化镓纳米带；(3)剥离所述纳米带，将所述剥离得到的纳米带转移至镀有二氧化硅的硅片基底上；(4)在所述步骤(3)得到基底的纳米带上镀银电极，得到硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学 | ||