发明名称 |
一种镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法。该方法通过在硒化反应过程中引入等离子强化硒化刻蚀复合技术,利用等离子提高硒蒸汽活性的同时,也利用等离子对合金预制层进行刻蚀,去除了合金预制层中多余的铟,增大了合金预制层的表面积以利于活化硒蒸汽更好的扩散渗入,使得活化硒蒸汽与铜、铟和镓元素反应更充分,从而实现镓元素在薄膜中分布均匀。本发明制备的铜铟镓硒薄膜其成分中各元素特别是镓元素分布均匀;制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池转换效率大大提高。 |
申请公布号 |
CN106229383A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610816436.7 |
申请日期 |
2016.09.10 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
张晓清;汤勇;黄云翔;陆龙生;袁伟;万珍平;李宗涛 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
何淑珍 |
主权项 |
一种镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:在衬底上依次制备钼背电极、吸收层、缓冲层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极,得到所述镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜太阳能电池。 |
地址 |
510640 广东省广州市广州天河区五山路381号 |