发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有光子晶体周期结构，所述光子晶体周期结构由具有不同折射率的两个系统构成，在所述两个系统的界面上，决定所述光子晶体周期结构的设计波长λ、周期a和半径R满足布拉格条件；所述周期a和所述半径R的比(R/a)的值是能够使所述光子晶体周期的结构具有最大光子带隙的值；以及所述布拉格条件的次数m，其范围在1＜m＜5，并且是通过使用FDTD法进行的模拟解析结果对于所述设计波长λ具有最大光提取效率的m值，进行根据FDTD法的解析时，首先，通过求出的R/a求与次数m对应的直径d、周期a，且决定深度h，其中0<h<1.0d，将由该d、a、h构成的圆孔在折射率分别为n1、n2的两个媒质的界面上以周期结构进行设定，并以FDTD法解析，从而求出光的提取效率和配光性。