| 发明名称 | 具有低写入错误率的自旋转移力矩磁存储元件 | ||
| 摘要 | 一种存储元件，包括：磁化固定层和磁化自由层。所述磁化固定层包括与形成在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层。所述铁磁层的磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向倾斜。 | ||
| 申请公布号 | CN103959407B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201280057911.7 | 申请日期 | 2012.11.19 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 |
| 分类号 | H01F10/32(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种磁存储元件，包括：磁化固定层；磁化自由层，包括与形成在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层；以及非磁性的中间层，形成在所述磁化固定层与所述磁化自由层之间；其中，所述铁磁层的磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向倾斜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||