发明名称 |
熔丝电路和包括熔丝电路的存储器件 |
摘要 |
本发明公开了一种熔丝电路和一种存储器件。所述熔丝电路包括:多个熔丝单元、放大单元和多个寄存器。放大单元被配置为顺序地将储存在熔丝单元中的数据放大。寄存器被配置为顺序地储存由放大单元放大的数据。 |
申请公布号 |
CN102456413B |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201110118041.7 |
申请日期 |
2011.05.09 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
金贵东;崔俊基 |
分类号 |
G11C17/18(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
许伟群;郭放 |
主权项 |
一种熔丝电路,包括:多个熔丝单元,所述多个熔丝单元被配置为响应于多个选择信号之中的与其相对应的选择信号而被使能;计数器单元,所述计数器单元被配置为对振荡波进行计数并产生地址;译码器单元,所述译码器单元被配置为对所述地址进行译码并产生所述选择信号;放大单元,所述放大单元被配置为将所述熔丝单元之中的被使能的熔丝单元的数据放大;以及多个寄存器,所述多个寄存器被配置为响应于所述选择信号之中的与其相对应的选择信号而被使能,并储存由所述放大单元放大的数据,其中,所述熔丝电路用在存储器件中,所述振荡波是施加到所述存储器件的自动刷新信号,以及所述译码器单元响应于在所述存储器件的初始操作中被激活的使能信号而被使能。 |
地址 |
韩国京畿道 |