| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102637794B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201210032437.4 | 申请日期 | 2012.02.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 | 发明人 | 李商文;尹义埈;朴珍燮;朴成铉 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维表面形式并由非极性氮化物半导体形成，所述三维表面具有多个凹陷部分；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒，所述多个固体颗粒设置在所述多个凹陷部分内并且露出所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的至少一部分；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||