多波长半导体激光器件

摘要

本发明涉及的多波长半导体激光器包括：单体地形成在基板上的第一和第二器件部；及整体地形成在第一器件部和第二器件部中各个器件部的后端面上的后端面膜。第一器件部为具有λ₁的振荡波长的发光器件部。第二器件部为具有λ₂(λ₁＜λ₂)的振荡波长的发光器件部。后端面膜从后端面一侧起依次包括层叠有N(N≥2)组层的层和折射率为n₂(n₁＜n₂＜n₃)的中折射率层，N组层中各组层具有折射率为n₁的低折射率层和折射率为n₃(n₁＜n₃)的高折射率层的组合，且后端面膜由不同于Si膜的膜构成。本发明的多波长半导体激光器件能够在抑制端面劣化的产生的同时抑制监视电流相对器件温度变化的变化。

主权项

一种多波长半导体激光器件，其包括：第一器件部和第二器件部，所述第一器件部和所述第二器件部单体地形成在基板上；及后端面膜，其整体地形成在所述第一器件部和所述第二器件部中各个器件部的后端面上，其中，所述第一器件部是振荡波长为λ₁的发光器件部，所述第二器件部是振荡波长为λ₂的发光器件部，λ₁＜λ₂，所述后端面膜从所述后端面一侧起依次包括层叠有N组层的层和折射率为n₂的中折射率层，所述N组层中各组层具有折射率为n₁的低折射率层和折射率为n₃的高折射率层的组合，且所述后端面膜由不同于Si膜的膜构成，N≥2，n₁＜n₂＜n₃，以及当λ₁和λ₂之间的波长设定为λ₃时，所述低折射率层、所述高折射率层和所述中折射率层中各层的光学膜厚度设定为λ₃/4。