一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层、一低k介电层、一TEOS硬掩膜层和一金属硬掩膜层；在所述金属硬掩膜层和所述TEOS硬掩膜层中形成用于蚀刻沟槽的第一图形，以露出部分所述低k介电层；在所述露出的低k介电层上形成用于蚀刻通孔的第二图形；形成用于填充铜互连金属的通孔，并去除所述第二图形；实施一碳化处理，以在通过所述第一图形暴露出来的低k介电层的表面以及所述低k介电层和所述TEOS硬掩膜层之间靠近所述第一图形的界面处形成一富含碳的材料层；形成用于填充铜互连金属的沟槽。根据本发明，可以有效地抑制在所述低k介电层和所述TEOS硬掩膜层的界面处出现的底切现象的发生。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层、一低k介电层、一TEOS硬掩膜层和一金属硬掩膜层；在所述金属硬掩膜层和所述TEOS硬掩膜层中形成用于蚀刻沟槽的第一图形，以露出部分所述低k介电层；在所述露出的低k介电层上形成用于蚀刻通孔的第二图形；形成用于填充铜互连金属的通孔，并去除所述第二图形；通过采用含碳的气体束将碳注入实施一碳化处理，以在通过所述第一图形暴露出来的低k介电层的表面以及所述低k介电层和所述TEOS硬掩膜层之间靠近所述第一图形的界面处形成一富含碳的材料层，所述含碳的气体束相对于所述半导体衬底的中心轴线倾斜一定的角度，所述倾斜角度的范围为15°‑30°，实施所述碳注入时所述半导体衬底依次旋转0°、90°、180°、270°，以实现碳的均匀注入；形成用于填充铜互连金属的沟槽后，实施一湿法清洗过程，所述富含碳的材料层避免所述湿法清洗过程在所述低k介电层和所述TEOS硬掩膜层之间靠近所述第一图形的界面处造成的底切现象。