一种制备有机晶体薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种有机晶体薄膜的制备方法，将有机晶体原料、修饰剂溶解在有机溶剂中并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到50～150摄氏度的基板上使溶剂蒸发，蒸发时间控制在3分钟以内，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使其在良溶剂的饱和蒸气压的环境下，在‑30～50摄氏度培养1～30小时，有机晶体沿着二维方向生长，从而得到有机晶体薄膜。本方法包括在高温溶剂蒸发时晶体迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的有机分子纳米颗粒通过毛细现象吸引后的自组装过程。晶体在与基板垂直的方向上生长受限，因此可以得到二维的有机晶体薄膜。有机晶体薄膜的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。

主权项

一种制备有机晶体薄膜的方法，其特征在于：将有机晶体原料、修饰剂溶解在第一有机溶剂中，并搅拌均匀，所述的机晶体原料和修饰剂的质量比为1:0.1～10，然后将混合溶液滴加到50‑150摄氏度的基板上进行蒸发，蒸发时间控制在3分钟以内，再将该基板置于甲醇的饱和蒸气压下的容器中，在‑30～50摄氏度的温度下培养1～30小时，获得有机晶体薄膜。