| 发明名称 | 一种Er‑Se‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种Er‑Se‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的薄膜材料由铒、硒、锑三种元素组成，其化学通式为Er<sub>x</sub>(Se<sub>y</sub>Sb<sub>100‑y</sub>)<sub>1‑x</sub>，其中0<x≤0.05，0<y≤50。本发明的纳米相变材料可以实现可逆的相变过程，并且相变前后的高低电阻的差值较大，易于实现存储中需要分辨的“0”或“1”，是较为理想的相变存储材料；本发明的制备方法业已成熟，易于实现与现有半导体技术的兼容；本发明的纳米相变材料继承了富锑相相变速度快的优点，同时具备较高的晶化温度和数据保持力，还具备较高的晶态和非晶态电阻，有利于降低相变存储器件的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN106229409A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201610852807.7 | 申请日期 | 2016.09.26 |
| 申请人 | 江苏理工学院 | 发明人 | 邹华;胡益丰;朱小芹;薛建忠;张建豪;郑龙;吴世臣;袁丽;孙月梅;吴卫华;眭永兴 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人 | 翁斌 |
| 主权项 | 一种Er‑Se‑Sb纳米相变薄膜材料，其由铒、硒、锑三种元素组成。 | ||
| 地址 | 213001 江苏省常州市中吴大道1801号 | ||