一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法

摘要

一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，首先在外延片的表面沉积一层介质膜作为干法刻蚀的掩膜，利用第一块光刻掩膜版光刻出第一深度的区域，利用光刻胶作为掩膜腐蚀掉第一区域处的介质摸，然后利用第二块光刻掩膜版光刻出第二深度的区域，利用上面形成的光刻胶和介质膜作为掩膜进行干法刻蚀，得到深度不同的沟槽，最后形成激光器。该方法旋涂一次光刻胶就同时作为了制备第一深度区域图形和第二深度区域图形的掩膜，进行一次干法刻蚀就得到了不同深度要求的沟槽，实现对不同深度不同区域的位置的刻蚀，操作方便，简化了工艺步骤，缩短了生产周期，同时降低了原材料的消耗，增加了整个工艺的可重复性以及稳定性。

主权项

一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)生长介质膜：在外延片上利用PECVD工艺生长一层介质膜作为干法刻蚀所需要的掩膜层；(2)一次光刻图形：在生长的介质膜上面旋涂一层光刻胶，利用第一块掩膜版曝光、显影和坚膜，得到第一深度区域的图形；(3)腐蚀第一深度区域的图形：利用光刻胶作为掩膜，采用湿法或者干法刻蚀的方法去除掉没有光刻胶保护区域的介质膜；(4)二次光刻图形：利用第二块光刻掩膜版对上面的光刻胶进行曝光、显影和坚膜，得到第二深度区域的图形；(5)干法刻蚀：利用上面的光刻胶和介质膜作为掩膜，进行干法刻蚀，同时得到第一深度和第二深度区域，去除刻蚀完成以后外延片表面的光刻胶和介质摸；(6)生长电流阻挡层和光刻电流注入窗口：在清洗完成的外延片表面生长电流阻挡层，在脊条的位置光刻腐蚀掉电流阻挡层形成电流注入窗口；(7)对完成上述步骤的外延片进行加工，形成GaAs‑基激光器。