| 发明名称 | 共聚聚硅氮烷、其制造方法以及包含其的组合物以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种共聚聚硅氮烷，其至少具有由通式(I)：‑Si(R<sup>1</sup>)(R<sup>2</sup>)‑NR<sup>3</sup>‑表示的重复单元、以及由通式(II)：‑Si(R<sup>1</sup>)(R<sup>2</sup>)‑NH‑表示的重复单元(式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>各自独立地表示氢原子、烃基、含烃基的甲硅烷基、含烃基的氨基、或者烃氧基，R<sup>3</sup>表示烷基、烯基、烷氧基、环烷基、芳基、或者烷基甲硅烷基)，NR<sup>3</sup>/SiH<sub>1，2</sub>比(SiH<sub>1，2</sub>表示SiH<sub>1</sub>与SiH<sub>2</sub>的合计量)为0.005～0.3。关于该共聚聚硅氮烷，可通过使得Si(R<sup>1</sup>)(R<sup>2</sup>)X<sub>2</sub>(式中，X表示卤素原子)与伯胺类化合物：R<sup>3</sup>NH<sub>2</sub>进行反应，然后与氨进行反应从而制造；可利用在低温的焙烧工序从而形成具有耐受电压特性和对溶剂的耐受性的二氧化硅质膜。 | ||
| 申请公布号 | CN106232687A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201580020707.1 | 申请日期 | 2015.04.22 |
| 申请人 | AZ电子材料（卢森堡）有限公司 | 发明人 | 山川纯;藤原嵩士;神田崇;青木宏幸 |
| 分类号 | C08G77/62(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;C09D183/16(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人 | 刘淼 |
| 主权项 | 一种共聚聚硅氮烷，其至少具有由下述通式(I)表示的重复单元、以及由下述通式(II)表示的重复单元，NR<sup>3</sup>/SiH<sub>1，2</sub>为0.005～0.3，SiH<sub>1，2</sub>表示SiH<sub>1</sub>与SiH<sub>2</sub>的合计量，通式(I)：<img file="FDA0001134687720000011.GIF" wi="560" he="206" />式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>各自独立地表示氢原子、烃基、含烃基的甲硅烷基、含烃基的氨基、或者烃氧基，R<sup>3</sup>表示烷基、烯基、烷氧基、环烷基、芳基、或者烷基甲硅烷基，通式(II)：<img file="FDA0001134687720000012.GIF" wi="566" he="213" />式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>与上述同样定义。 | ||
| 地址 | 卢森堡卢森堡 | ||