| 发明名称 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN106233438A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201580020907.7 | 申请日期 | 2015.02.25 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 大西彻;大木周平;池田知治;R·MD·塔斯比尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 万利军;段承恩 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其中，包括：在半导体基板的表面形成沟槽的工序；形成覆盖所述沟槽的内面的栅绝缘膜的工序；在所述沟槽内的所述栅绝缘膜的侧面堆积第1埋入材料的工序；在所述沟槽内的所述第1埋入材料的侧面堆积耐蚀刻性比所述第1埋入材料高的第2埋入材料的工序；从所述半导体基板的表面侧通过蚀刻来去除所述沟槽内的所述第1埋入材料以及所述第2埋入材料的一部分，使所述沟槽内的所述第2埋入材料的表面配置于比所述沟槽内的所述第1埋入材料的表面浅的位置的工序；和在蚀刻后，从所述半导体基板的表面侧对所述半导体基板进行离子注入来形成扩散层的工序。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||