通过蚀刻腔预处理来提高硅蚀刻工艺的蚀刻速率的方法

摘要

可以通过运行采用C₅HF₇的沉积工艺，或通过运行采用C₅H₂F₆和SF₆的交替的沉积和蚀刻工艺，来实现用于进行硅蚀刻工艺以及玻什法的蚀刻腔的预处理。已经发现，在预处理之后的第一各自工艺期间，对用于硅蚀刻工艺的蚀刻腔的预处理可以在对蚀刻轮廓没有副作用的情况下，将硅的蚀刻速率提高至少50％，同时蚀刻速率的提高系数随时间减小。通过在蚀刻腔中周期性地进行预处理，可以在对被处理的基板的蚀刻轮廓没有不利影响的情况下，提高蚀刻腔的吞吐量。

主权项

一种操作蚀刻工艺装置的方法，包括：在蚀刻工艺装置中进行预处理工艺，所述预处理工艺包含通过沉积氢氟烃聚合物材料涂覆所述蚀刻工艺装置的内壁，所述氢氟烃聚合物材料由具有C_xH_yF_z组分的氢氟烃气体的等离子体产生，其中x是选自3、4、5、6和7的整数，y和z是不大于15的正整数，并且其中所述氢氟烃聚合物材料的涂层形成在所述蚀刻工艺装置的所述内壁上；以及在所述蚀刻工艺装置中，在至少一个基板上进行至少一个硅蚀刻工艺，所述至少一个基板中的每一个包含图案化的掩模层，通过其物理地暴露至少一个半导体材料部分。