发明名称 半导体装置的制造方法以及打线装置
摘要 半导体装置的制造方法包括:线尾接触步骤,使线尾自前端外延的接合工具下降而使线尾的前端接触于半导体装置的接合面;线尾弯曲步骤,使接合工具向与所述接合工具的轴方向(Z方向)交叉的方向移动,一面使线尾的前端接触于接合面一面使线尾弯曲;第1接合步骤,使接合工具下降并在第1接合点对线尾的一部分加压,并且以线尾的前端朝向上方的方式将线尾整形为规定形状;引线环形成步骤;第2接合步骤;以及金属线切断步骤,以使金属线的一部分自接合工具的前端外延的方式将金属线切断。由此,可简便且有效率地将线尾整形为规定形状。
申请公布号 CN106233446A 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201580020192.5 申请日期 2015.02.10
申请人 株式会社新川 发明人 萩原美仁;高桥信夫
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 杨文娟;臧建明
主权项 一种半导体装置的制造方法,其是制造具有连接第1接合点与第2接合点的引线环的半导体装置的方法,且包括:线尾接触步骤,使线尾自前端外延的接合工具下降而使所述线尾的前端接触于所述半导体装置的接合面;线尾弯曲步骤,使所述接合工具向与所述接合工具的轴方向交叉的方向移动,一面使所述线尾的前端接触于所述接合面一面使所述线尾弯曲;第1接合步骤,使所述接合工具下降并在所述第1接合点对所述线尾的一部分加压,并且以所述线尾的前端朝向上方的方式将所述线尾整形为规定形状;引线环形成步骤,一面抽出所述金属线,一面使所述接合工具移动而使所述金属线外延为规定形状;第2接合步骤,使所述接合工具下降并在所述第2接合点对所述金属线的一部分加压;以及金属线切断步骤,以使所述金属线的一部分自所述接合工具的前端外延的方式将所述金属线切断。
地址 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1