抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管及有源寻址电路

摘要

本实用新型公开一种抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管及有源寻址电路，该MOS包括衬底，衬底上表面的中部沉积有栅绝缘层，在栅绝缘层上有多晶硅或金属形成栅极，通过离子注入在衬底两端形成的源极和漏极，在栅极、源极与漏极上方沉积有隔离层，源极和漏极上方的隔离层刻蚀有用于引出源极和漏极的接触孔，在源极和漏极的接触孔上沉积有金属，漏极上的金属刻蚀有用于隔离源极和漏极的隔离缺口，源极上的金属直接延伸覆盖过有源沟道区。本实用新型提出的MOS管有效的遮挡了光线，抑制了光致漏电流的产生，既改善了晶体管的关态特性，也提高了有源寻址驱动电路的工作性能。

主权项

一种抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管，包括衬底，衬底上表面的中部沉积有栅绝缘层，在栅绝缘层上有多晶硅或金属形成栅极，通过离子注入在衬底两端形成的源极和漏极，其特征在于，在栅极、源极与漏极上方沉积有隔离层，源极和漏极上方的隔离层刻蚀有用于引出源极和漏极的接触孔，在源极和漏极上的接触孔中沉积有金属，漏极上接触孔中金属刻蚀有用于隔离源极和漏极的隔离缺口，源极上的金属直接延伸覆盖过有源沟道区。